时间：2024-04-24 来源：国家知识产权局专利检索与分析系统

公开(公告)号: CN109326688B

标题: 一种双金属层环形叉指电极倒装LED芯片及其制作方法

法律状态/事件: 授权 | 一案双申

当前申请(专利权)人: 九江职业技术学院

应用领域分类: 半导体器件

申请日: 2018-12-04

公开(公告)日: 2023-09-12

摘要: 本发明公开了一种双金属层环形叉指电极倒装LED芯片及其制作方法，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，在p型半导体层上设有电流扩展层，在电流扩展层上设有第一绝缘隔离层，在第一绝缘隔离层上划分有同心等距分布的多个n极环形带和同心等距分布的多个p极环形带，所述n极环形带和p极环形带交替布置而形成环形叉指结构；实现了电极上半部分和下半部分不同结构的布置，大大减小了电极之间的掣肘，解决了在电极周边电流聚集问题，提高了本发明的倒装LED芯片的电流扩展性能，从而提升了发光效率；上半部分实现了较大面积的n电极焊盘和p电极焊盘，从而能够很大程度上实现自由配置，方便后续封装的顺利实施，提高成品率。

第一权利要求: 1.一种双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其特征在于，在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层，在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的第一绝缘隔离层，在第一绝缘隔离层上划分有同心等距分布的多个n极环形带和同心等距分布的多个p极环形带，所述n极环形带和p极环形带交替布置而形成环形叉指结构；

在n极环形带区域绕周向均匀设有多个n极通孔，所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层，在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁；在p极环形带区域绕周向均匀设有多个p极通孔，所述p极通孔自上而下延伸至电流扩展层；

在第一绝缘隔离层上设有第一金属层，所述第一金属层均填充n极通孔和p极通孔，在第一金属层上相邻n极环形带和p极环形带之间均设有绝缘隔离槽而形成绝缘交替布置的环形n电极和环形p电极；

在第一金属层上设有第二绝缘隔离层，在第二绝缘隔离层的左半部分对应每个环形n电极均设有n极互连孔，n极互连孔自上而下延伸至相对应的环形n电极；在第二绝缘隔离层的右半部分对应每个环形p电极均设有p极互连孔，p极互连孔自上而下延伸至相对应的环形p电极；全部的n极互连孔电性连接后形成n电极焊盘，全部的p极互连孔电性连接后形成p电极焊盘；所述第一绝缘隔离层为半导体分布式布拉格反射镜；所述第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层材质均为二氧化硅、氮化铝或者氮化硅；所述电流扩展层材质为透明导电材料。

IPC分类号: H01L33/00 | H01L33/38 | H01L33/48 | H01L33/62